大部分半導(dǎo)體材料對(duì)紫外波段的光線都有很好的吸收，以單晶硅在不同波段的吸收為例，當(dāng)采用紫外波段的激光加工半導(dǎo)體材料時(shí)，由于紫外光聚焦光斑細(xì)，光子能量相對(duì)較高，可將材料化學(xué)鍵打斷。生成物所占據(jù)的空間體積迅速膨脹，最終以體爆炸形式迸射分離母體并帶走過(guò)剩的能量，熱區(qū)影響小。在此加工過(guò)程，由于沒(méi)有熱量產(chǎn)生，所以紫外激光的加工過(guò)程，又稱之為“冷加工”，切割完成后通過(guò)相應(yīng)的裂片工藝使每個(gè)芯片分開(kāi)。

       由于這種特別波長(zhǎng)和頻率的激光作用到待加工材料上的能量只有幾瓦甚至是毫瓦級(jí)，在外貌和內(nèi)部都沒(méi)有熔融質(zhì)料，正面和背面用眼睛也幾乎看不到刀痕和崩邊，這為芯片生產(chǎn)商縮小切割道寬度，增加單位面積芯片數(shù)量以降低成本提供了較大的空間。由于短波長(zhǎng)的紫外激光幾乎沒(méi)有熱損傷，所以質(zhì)料不需要冷卻，整個(gè)切割過(guò)程都是在完全干燥的環(huán)境中進(jìn)行。而熔融的質(zhì)料也被汽化，所以質(zhì)料外貌完全沒(méi)有沾污，這也很好地解決了半導(dǎo)體晶圓片怕沾污的問(wèn)題。

       紫外激光在半導(dǎo)體芯片加工領(lǐng)域的應(yīng)用主要包括：芯片切割、晶元鉆微孔、晶元打標(biāo)、激光調(diào)整薄膜電阻、激光測(cè)量、激光刻蝕、深紫外光投影光刻等方面，而在這些應(yīng)用中，為了適應(yīng)不斷發(fā)展的大規(guī)?；a(chǎn)，從產(chǎn)量和成本角度來(lái)看，傳統(tǒng)的管芯分離技術(shù)也不再實(shí)用，紫外激光切割技術(shù)將成為具有巨大潛力的應(yīng)用，他將成了這類(lèi)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。

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